韩网讯/三星电子近期的业绩下滑，被归因于中国存储企业在传统（Legacy）产品市场的崛起，这一现象揭示了半导体行业格局的变化。过去，存储半导体市场几乎完全由三星电子主导，不仅在新技术产品领域拥有显著优势，传统产品市场中也占据着重要地位。然而，近年来中国企业在传统产品市场的渗透已对三星电子的业绩构成威胁。三星电子在最新的业绩发布中也正式承认，中国传统产品供应的增长是业绩下降的原因之一。
据半导体行业14日消息，三星电子在其第三季度业绩发布会上表示，“中国存储企业的传统产品供应增加对业绩产生了影响”。
近年来，中国传统存储市场中，长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）展现出强劲增长势头。长鑫存储自2016年成立以来，在中国政府的支持下迅速崛起。据野村证券报告称，长鑫存储的月产DRAM能力已从2023年底的12万片增长至2024年第一季度的16万片，预计到2024年底将达到20万片，占全球DRAM产量的约11%。
技术进步也是中国企业崛起的重要推动力。长鑫存储主要生产17纳米和18纳米的DDR4及LPDDR4产品，近期更是启动了18.5纳米工艺的DRAM生产，并据传已开始研发高带宽内存（HBM）。此外，长江存储宣布成功量产232层QLC 3D NAND，与三星电子的技术差距缩小至约两年。长江存储通过自主研发的Xtacking 3.0技术，成功提升了产品性能和生产良率。
面对美国的出口限制，长江存储开始与韩国、日本和中国台湾的设备供应商展开合作。专业研究咨询机构“零点研究”（Horizon Research）的数据显示，2023年中国在全球存储半导体市场的占比达到17.67%。特别是长鑫存储，若其产能扩增计划如期推进，预计其在全球DRAM市场的份额将有望提升至15%。
分析人士指出，中国企业的快速增长与政府支持密不可分。伴随中美贸易摩擦和技术霸权竞争的加剧，中国将提升半导体自给率视为国家战略任务，通过“国家大基金”等项目对半导体行业进行大规模投资与政策扶持。因此，凭借政府支持，中国企业迅速崛起，使得中低端市场竞争日益激烈，并对三星电子的业绩产生负面影响。部分中国企业甚至进军HBM领域，使得三星电子对中国企业的中长期挑战倍感压力。
为应对市场变化，三星电子正致力于技术创新。三星电子DS部门负责人全永铉在业绩发布会后表示，公司将“恢复核心技术竞争力”，意在通过在先进产品领域的技术提升稳固市场地位。三星电子正加速从传统产品向新一代产品的转型，计划扩大1b DRAM（第五代10纳米级）产量，预计到年底实现月产10万片。
在高带宽内存领域，尽管三星电子面临挑战，但其竞争对手SK海力士已向英伟达供应HBM3E，给三星带来了较大压力。半导体行业人士分析，三星电子在业绩发布会上提及中国企业，既是为业绩波动提供解释，也是希望通过此举呼吁韩国政府加强政策支持，以应对中国企业的快速崛起。
