韩网讯/SK海力士6日宣布，目前已与美国商务部签署一份不具约束力的初步备忘录（PMT）。
根据该备忘录，SK海力士将基于美国《芯片和科学法案》获得最高4.5亿美元的直 接补助和最高5亿美元的贷款，作为印第安纳州半导体先进封装工厂的投资建设补贴。
此外，美国财政部还决定为SK海力士提供最高可达25%的在美投资税收抵免。
SK海力士对美国政府的支持表示感谢，并承诺在补贴最终确定前尽全力履行相关后续流程。
与此同时，SK海力士表示将如期进行工厂建设，以确保在印第安纳州顺利实现AI存 储器量产。SK海力士希望通过此举为全球半导体供应链发展作出贡献。
SK海力士今年4月宣布投资38.7亿美元建设美国印第安纳州先进封装厂，在创造约1000个工作岗位的同时，还将与普渡大学等当地研究机构携手进行半导体研发。
