韩网讯/ 韩国电池巨头SK海力士在美国印第安纳州的先进芯片封装厂建设项目将享受美国商务部发放的直接补贴，最高金额可达6200亿韩元（约合人民币32亿元）。
据美国商务部6日消息，SK海力士和美国商务部签署了一份不具约束力的初步备忘录（PMT），其主要内容为美方将为SK海力士发放最高4.5亿美元的联邦政府补贴，用于在印第安纳州兴建高带宽内存（HBM）封装工厂及研发设施。美方还将向SK海力士提供5亿美元贷款，以及最多可达其在美资本支出25%的投资税收抵免。
补贴具体金额今后将根据美国《芯片和科学法案》的资助机会通知（NOFO）敲定。SK海力士的补贴资金比例为11.6%，虽低于三星电子（14.2%），但高于台积电（10.2%）和英特尔（8.5%）。
SK海力士4月曾宣布，将投资38.7亿美元在印第安纳州西拉斐特修建下一代高带宽内存生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。
