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【韩国新闻】三星电子改组新设HBM芯片研发团队

放大字体  缩小字体 发布日期:2024-07-04  来源:韩网  www.kcrea.cc  浏览次数:1647
核心提示:韩网讯/在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下,三星电子进行大规模改组,组建一个专注于高带宽存储器(HBM)的研发团队,力
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     韩网讯/在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下,三星电子进行大规模改组,组建一个专注于高带宽存储器(HBM)的研发团队,力争在半导体市场确保“超级差距”。

     据业界4日消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门当天进行改组,新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM(动态随机存取存储器)设计专家孙永洙(音译)担任该研发组组长,带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。

     此外,三星电子还对先进封装(AVP)团队和设备技术实验所进行重组,以提升整体技术竞争力。

     值得一提的是,此次改组距离半导体部门换帅仅一个月有余。三星电子5月21日宣布了一项重大人事变动,任命未来事业计划团部长(副会长)全永铉为DS部门负责人。近期,三星电子还面向HBM等新一代DRAM内存控制器开发、验证等800多个职务招聘有经验的员工。

 
 
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